MMBT3904WLT1G 是一� NPN 型硅晶體�,廣泛應(yīng)用于信號(hào)放大和開(kāi)�(guān)電路。該器件采用 TO-236-3 封裝形式,具有小型化、低噪聲和高增益的特�(diǎn),適用于各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品及工業(yè)控制�(yīng)�。它屬于 ON Semiconductor(現(xiàn)為安森美半導(dǎo)體)推出� MMBT 系列晶體管產(chǎn)品之一�
集電�-�(fā)射極電壓(VCEO):40V
集電�-基極電壓(VCBO):50V
�(fā)射極-基極電壓(VEBO):6V
最大集電極電流(IC):200mA
連續(xù)集電極功耗(Ptot):310mW
直流電流增益(hFE):最小� 100,典型� 300
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
MMBT3904WLT1G 晶體管具有以下特�(diǎn)�
1. 高增益性能,適合需要精確控制的小信�(hào)放大�(yīng)��
2. 工作頻率范圍廣,能夠滿足多種高頻及低頻應(yīng)用場(chǎng)景的需��
3. 具備低飽和電壓和快速開(kāi)�(guān)能力,適用于�(kāi)�(guān)電路�
4. 采用�(wú)鉛封裝設(shè)�(jì),符合環(huán)� RoHS �(biāo)�(zhǔn)要求�
5. 溫度�(wěn)定性好,在較寬的工作溫度范圍內(nèi)仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
該晶體管常用于以下領(lǐng)域:
1. 音頻�(shè)備中的小信號(hào)放大�
2. 各種電子�(kāi)�(guān)電路,如繼電器驅(qū)�(dòng)、LED �(qū)�(dòng)��
3. �(wú)線通信系統(tǒng)中的射頻前端模塊�
4. �(cè)�?jī)x器中的信�(hào)�(diào)節(jié)與處��
5. 電池供電�(shè)備中的電源管理部��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的傳感器接口電路�
2N3904, BC337, MPS2222A