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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MMBT3904-7-F

MMBT3904-7-F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/2/22 11:56:04 查看 閱讀�854

MMBT3904-7-F是一款雙極型(NPN)小信�(hào)晶體�,由ON Semiconductor生產(chǎn)。它是SOT-23封裝,適用于通用低功耗放大器和開(kāi)�(guān)�(yīng)�。MMBT3904-7-F的最大電流傳輸比(hFE)�300�1000,最大集電極電流(Ic)�200mA。它的最大集電極-基極電壓(Vceo)�40V,最大集電極-�(fā)射極電壓(Vcbo)�60V。此外,它的最大發(fā)射極-基極電壓(Vebo)�6V,最大功率耗散(Pd)�350mW。該晶體管具有高頻響�(yīng)特性,適用于頻率范圍從DC�300MHz。它的封裝體積小�,便于在緊湊的電路板�(shè)�(jì)中使用。同�(shí),它的低功耗特性使其非常適合移�(dòng)�(shè)備和電池供電的應(yīng)��
MMBT3904-7-F廣泛�(yīng)用于各種電路�,包括放大器、開(kāi)�(guān)、電流驅(qū)�(dòng)器和邏輯門(mén)等。它可以在低�0.1μA的基極電流下工作,這使得它非常適合需要低功耗的�(yīng)用�
總而言�,MMBT3904-7-F是一款高性能、低功耗的雙極型小信號(hào)晶體管,適用于各種通用放大器和�(kāi)�(guān)�(yīng)�。它的小封裝和高頻特性使其成為移�(dòng)�(shè)備和電池供電�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)指標(biāo)

最大集電極電流(IC):200mA
  最大集電極-基極電壓(VCEO):40V
  最大集電極-�(fā)射極電壓(VEBO):6V
  最大功耗(PD):350mW
  最大工作頻率(fT):300MHz

組成�(jié)�(gòu)

MMBT3904-7-F由三�(gè)區(qū)域組成:基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)?;鶇^(qū)位于中間,發(fā)射區(qū)和集電區(qū)分別位于兩側(cè)。發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間存在pn�(jié),集電區(qū)與基區(qū)之間也存在pn�(jié)�

工作原理

�(dāng)正向偏置施加在基�-�(fā)射極之間�(shí),發(fā)射區(qū)的pn�(jié)�(huì)變得�(dǎo)�,電子從�(fā)射區(qū)注入到基區(qū),形成電�。同�(shí),由于集電區(qū)與基區(qū)之間的反向偏�,集電區(qū)的pn�(jié)截止,電流無(wú)法通過(guò)。因�,基極電流的變化可以控制集電極電流的變化,實(shí)�(xiàn)信號(hào)放大或開(kāi)�(guān)控制功能�

技�(shù)要點(diǎn)

MMBT3904-7-F具有高電流放大倍數(shù)、低噪聲、低電壓漂移等特�(diǎn),適用于低功率應(yīng)用場(chǎng)�。它采用SOT-23封裝,體積小、重量輕,便于集成和布局�

�(shè)�(jì)流程

在設(shè)�(jì)電路�(shí),需要根�(jù)具體�(yīng)用需求選擇合適的偏置電流、功耗和工作頻率等參�(shù)??梢允褂媚M電路�(shè)�(jì)軟件�(jìn)行仿真和�(yōu)化,以確保電路的性能和穩(wěn)定��

注意事項(xiàng)

在使用MMBT3904-7-F�(shí),需要注意以下事�(xiàng)�
  適當(dāng)選擇偏置電流和電�,以避免�(guò)載和損壞器件�
  防止靜電放電,使用合適的靜電保護(hù)措施�
  避免�(guò)高的溫度和濕�,以確保器件的可靠性和壽命�

�(fā)展歷�

MMBT3904-7-F是一款雙極型(NPN)小信號(hào)晶體�。以下是該晶體管的發(fā)展歷程:
  1951年,美國(guó)貝爾�(shí)�(yàn)室的研究人員�(fā)�(xiàn)了晶體管的雙極型效應(yīng),并�1952年獲得了晶體管的第一�(gè)�(zhuān)�。這一�(fā)�(xiàn)引發(fā)了晶體管技�(shù)的廣泛研究和�(kāi)�(fā)�
  20世紀(jì)50年代,晶體管的制造工藝逐漸成熟,晶體管�(kāi)始在各種電子�(shè)備中得到�(yīng)�。當(dāng)�(shí)的晶體管主要采用硅材料制造,具有較低的功耗和較高的可靠��
  1960年代�,貝爾實(shí)�(yàn)室的研究人員�(fā)�(xiàn)了一種新型的雙極型晶體管材料,即鍺材�。與硅材料相�,鍺材料具有更高的導(dǎo)電性能和更好的熱穩(wěn)定��
  1970年代,隨著集成電路技�(shù)的發(fā)展,晶體管的尺寸�(kāi)始縮�,功耗和成本也得到了�(jìn)一步降低。在這�(gè)�(shí)�,NPN型晶體管成為了主�,被廣泛�(yīng)用于各種電子�(shè)備中�
  20世紀(jì)80年代,半�(dǎo)體技�(shù)得到了快速發(fā)�,晶體管的性能和可靠性得到了�(jìn)一步提�。同�(shí),晶體管的封裝也變得更加小型化和高效率�
  2000年代以后,隨著無(wú)線通信技�(shù)和移�(dòng)互聯(lián)�(wǎng)的快速發(fā)�,對(duì)于小型、高性能晶體管的需求越�(lái)越大。MMBT3904-7-F晶體管應(yīng)�(yùn)而生,它采用了先�(jìn)的制造工�,具有較小的尺寸、低功耗和高可靠��

mmbt3904-7-f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mmbt3904-7-f資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

mmbt3904-7-f參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)200mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)40V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 5mA�50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)100 @ 10mA�1V
  • 功率 - 最�300mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�300MHz
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)MMBT3904-FDITR