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MMBD5819LT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 15:16:59 查看 閱讀�27

MMBD5819LT1G 是一� NPN 型小信號晶體管,采用 SOT-23 封裝形式。這款晶體管適用于高頻、低噪聲放大器和開關(guān)�(yīng)�,廣泛用于便攜式�(shè)�、通信系統(tǒng)和音頻電路等場景�
  其主要特點包括高增益、低噪聲特性和較小的封裝尺�,使其非常適合對空間要求較高的設(shè)��

參數(shù)

集電�-�(fā)射極電壓(Vce):40V
  集電極電流(Ic):200mA
  直流電流增益(hFE):175(最小值)� 450(最大值)
  過渡頻率(fT):300MHz
  功耗(Ptot):350mW
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

MMBD5819LT1G 擁有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高增益性能,適合在需要精確控制的�(yīng)用中使用�
  2. 支持高達 300MHz 的過渡頻率,能夠滿足高頻電路的需��
  3. SOT-23 封裝提供緊湊的外形,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,并且可以節(jié)� PCB 空間�
  4. 良好的低噪聲表現(xiàn),適用于音頻和射頻信號處��
  5. 寬泛的工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下仍能�(wěn)定運��

�(yīng)�

該晶體管主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 無線通信模塊中的高頻放大��
  2. 音頻�(shè)備中的前置放大器和緩沖器�
  3. �(shù)�(jù)傳輸接口中的信號切換與驅(qū)動�
  4. 消費類電子產(chǎn)品如智能手機、平板電腦內(nèi)的各種控制電路�
  5. 工業(yè)自動化控制系�(tǒng)中的信號�(diào)節(jié)和隔離電��

替代型號

MBR0520LT1G, MMBT3904LT1G

mmbd5819lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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