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MMBD354LT1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 11:56:35 查看 閱讀�35

MMBD354LT1G 是一� NPN 型硅晶體三極�,主要用于高頻和高速開關應用。該器件采用 SOT-23 封裝,適合表面貼裝技術(SMT),廣泛應用于消費電�、通信設備和工�(yè)控制等領��
  該三極管具有低飽和電壓、高增益和快速開關速度的特�,適用于各種需要小信號放大的場合以及開關電路設計�

參數

集電�-�(fā)射極電壓�30V
  集電極電流:-200mA
  直流電流增益(hFE):100�300
  功率耗散�340mW
  過渡頻率�1GHz
  存儲溫度范圍�-65℃至150�

特�

MMBD354LT1G 具有非常高的過渡頻率(fT�,可以達� 1GHz,這使其非常適合高頻應�。同時,其封裝形式為 SOT-23,尺寸小巧且易于安裝� PCB ��
  此外,該器件的低飽和電壓允許其在開關模式下實現更高的效率,而較高的直流電流增益則確保了它在放大器中的穩(wěn)定性能�
  SOT-23 封裝還提供了出色的散熱性能,結合工作溫度范圍寬廣的特點,使其能夠在惡劣�(huán)境下可靠運行�

應用

該晶體管適用于多種高頻和高速應用場景,包括但不限于�
  1. 高速開關電�
  2. 小信號放�
  3. 無線通信模塊中的射頻開關
  4. 脈沖寬度調制(PWM)控制器
  5. 消費類電子產品中的邏輯電平轉�
  6. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的傳感器接�

替代型號

MMBT3904LT1G, MMBT3904

mmbd354lt1g推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mmbd354lt1g產品

mmbd354lt1g參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭RF 二極�
  • 系列-
  • 二極管類�肖特� - 1 對共陰極
  • 電壓 - 峰值反�(最�)7V
  • 電流 - 最�-
  • 電容@ Vr, F1pF @ 0V�1MHz
  • 電阻@ Vr, F-
  • 功率耗散(最大)225mW
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMBD354LT1GOSMMBD354LT1GOS-NDMMBD354LT1GOSTR