MM1Z24BW是一種高�、低功耗的CMOS靜態(tài)隨機存取存儲�(SRAM),具有高可靠性與�(yōu)良的電氣性能。該芯片采用先進的半導體工藝制造,廣泛應用于需要快速數(shù)�(jù)訪問和穩(wěn)定存儲的各種電子�(shè)備中。其組織�(jié)�(gòu)�2K x 8�,提供總�16Kbit的存儲容量�
MM1Z24BW具備標準的同步接口特�,適用于多種工業(yè)及商�(yè)�(huán)境下的數(shù)�(jù)緩沖、臨時存儲等應用�
存儲容量�16Kbit
組織形式�2K x 8
工作電壓(Vcc)�4.5V ~ 5.5V
訪問時間�25ns
工作電流�30mA(最大值)
待機電流�20μA(最大值)
封裝形式:SOJ-18, PDIP-18
溫度范圍:商�(yè)級:0°C ~ 70°C,工�(yè)級:-40°C ~ +85°C
MM1Z24BW采用了CMOS技�(shù),具有低功耗的特點,同時保持了較快的訪問速度�
該芯片支持全靜態(tài)操作,無需刷新電路,簡化了系統(tǒng)�(shè)��
具備三態(tài)輸出功能,允許總線共�,提高了系統(tǒng)的靈活性�
輸入輸出引腳具有施密特觸�(fā)特�,增強了抗噪能力�
在待機模式下,芯片能夠顯著降低功耗,非常適合對電池壽命有要求的應用場��
其寬溫度范圍選項使得該器件可以適應多種工作環(huán)��
MM1Z24BW廣泛應用于各種需要高性能�(shù)�(jù)存儲的場�,例如通信�(shè)備中的數(shù)�(jù)緩沖、工�(yè)控制系統(tǒng)的臨時數(shù)�(jù)存儲、消費類電子�(chǎn)品中的程序運行緩存以及醫(yī)療儀器的�(shù)�(jù)記錄等功��
由于其低功耗和快速訪問時間,該芯片也適合便攜式設(shè)備和手持終端使用�
此外,其三態(tài)輸出特性使其成為多芯片系統(tǒng)中的理想選擇,可以方便地與其他邏輯電路協(xié)同工��
MM1Z24BQ
MM1Z24BP
M6816P
HM6116LP