ML621S/DN是一款高性能的低功耗CMOS靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�。該芯片具有快速訪問時(shí)�、低功耗和高可靠�,廣泛應(yīng)用于各種需要臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的電子設(shè)備中。它采用�(biāo)�(zhǔn)的CMOS制造工�,確保了在長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行下的穩(wěn)定性和耐用��
該型�(hào)支持同步或異步操作模式,可以根據(jù)�(shí)際需求靈活配�。此�,ML621S/DN�(nèi)置上電復(fù)位功能,在系�(tǒng)加電或掉電時(shí)能夠自動(dòng)清除�(shù)�(jù)以防止混��
容量�32K x 8 bits
工作電壓�2.7V � 3.6V
訪問�(shí)間:70ns
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:無限
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:TSSOP-48
ML621S/DN采用了先�(jìn)的CMOS技�(shù),具有極低的功耗特�。在待機(jī)模式下,芯片的電流消耗非常小,非常適合電池供電設(shè)備�
此外,這款芯片支持硬件寫保�(hù)功能,可以有效防止意外寫入導(dǎo)致的�(shù)�(jù)丟失�
其高速讀寫能力使其成為嵌入式系統(tǒng)、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的理想選�。內(nèi)置的上電�(fù)位功能�(jìn)一步提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性與安全性�
由于采用了小型化的TSSOP封裝,ML621S/DN能夠在有限的空間�(nèi)提供更高的性能,適合對(duì)體積敏感的應(yīng)用場(chǎng)��
ML621S/DN適用于多種領(lǐng)�,包括但不限于工�(yè)控制、醫(yī)療設(shè)�、汽車電子以及家用電器等�
在工�(yè)自動(dòng)化中,它可以用于臨時(shí)存儲(chǔ)傳感器數(shù)�(jù)或控制指��
在消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,如�(shù)碼相�(jī)或打印機(jī),ML621S/DN可以作為緩沖存儲(chǔ)器來提升�(shù)�(jù)處理速度�
此外,它也常見于通信模塊中,用作�(xié)議轉(zhuǎn)換或�(shù)�(jù)暫存�
ML62QV32S-DN, AS6C1008, CY7C1021DV33