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MJD42CT4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/10 10:27:38 查看 閱讀�812

MJD42CT4G技�(shù)參數(shù)

目錄

概述

�(lèi)型:PNP

集電極-�(fā)射集最小雪崩電壓VCEO(V)�100

集電極最大電�IC(Max)(A)�

直流電流增益hFE最小�(dB)�15

直流電流增益hFE最大�(dB)�75

最小電流增益帶寬乘積Ft(MHz)�

總功耗PD(W)�20

封裝/溫度(�)�3DPAK/-65~150

資料

�(chǎng)�
ON Semiconductor

mjd42ct4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

mjd42ct4g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

mjd42ct4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)6A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)100V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)1.5V @ 600mA�6A
  • 電流 - 集電極截止(最大)50µA
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)15 @ 3A�4V
  • 功率 - 最�1.75W
  • 頻率 - �(zhuǎn)�3MHz
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線(xiàn)+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)MJD42CT4GOSMJD42CT4GOS-NDMJD42CT4GOSTR