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MJD253T4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/31 11:18:21 查看 閱讀�473

�(lèi)型:PNP

目錄

概述

�(lèi)型:PNP

集電極-�(fā)射集最小雪崩電壓VCEO(V)�100

集電極最大電�IC(Max)(A)�

直流電流增益hFE最小�(dB)�40

直流電流增益hFE最大�(dB)�180

最小電流增益帶寬乘積Ft(MHz)�40

總功耗PD(W)�12.500

封裝/溫度(�)�3DPAK/-65~150

資料

廠商
ON Semiconductor

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mjd253t4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)4A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)100V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)600mV @ 100mA�1A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)40 @ 200mA�1V
  • 功率 - 最�1.4W
  • 頻率 - �(zhuǎn)�40MHz
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)MJD253T4GOSMJD253T4GOS-NDMJD253T4GOSTR
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