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MJD112 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 22:16:39 查看 閱讀�7

MJD112是一種NPN型硅大功率晶體管,廣泛應(yīng)用于開關(guān)和線性放大電路中。該晶體管具有較高的電流增益、良好的熱穩(wěn)定性和可靠�,適用于各種需要高電流�(qū)動能力的場景�
  其封裝形式通常為TO-220,這種封裝形式能夠有效散發(fā)熱量,確保器件在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定�。MJD112的工作電壓范圍較�,能夠適�(yīng)多種電路�(shè)計需��

參數(shù)

集電�-�(fā)射極電壓�80V
  集電極電流:5A
  功率耗散�62.5W
  直流電流增益hFE�10-70
  過渡頻率�4MHz
  �(jié)溫范圍:-55℃至150�

特�

MJD112具有以下主要特性:
  1. 高電流承載能力,適合�(qū)動大功率負載�
  2. 較寬的電壓范�,使其能適應(yīng)多種工作�(huán)��
  3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下長時間工��
  4. 封裝形式便于安裝和散熱,提高了整體系�(tǒng)的可靠��
  5. 典型的NPN�(jié)�(gòu)使得它易于集成到各類電子電路中�

�(yīng)�

MJD112晶體管適用于以下�(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源中的開關(guān)元件�
  2. 電機�(qū)動和繼電器控制電路�
  3. 線性放大器和音頻功率放大器�
  4. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
  5. 負載�(qū)動電�,如LED�(qū)動和燈泡控制等�

替代型號

2N3055,MJ2955

mjd112推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mjd112資料 更多>

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  • MJD112
  • Complementary Darlington Power Trans...
  • ONSEMI
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  • MJD112
  • D-PAK for Surface Mount Applications
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  • Complementary Darlington Power Trans...
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mjd112參數(shù)

  • 制造商ON Semiconductor
  • �(chǎn)品種�Transistors Darlington
  • 配置Single
  • 晶體管極�NPN
  • 集電極—發(fā)射極最大電� VCEO100 V
  • �(fā)射極 - 基極電壓 VEBO5 V
  • 集電極—基極電� VCBO100 V
  • 最大直流電集電極電�2 A
  • 最大集電極截止電流20 uA
  • 功率耗散20 W
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TO-252-3 (DPAK)
  • 封裝Tube
  • 集電極連續(xù)電流2 A
  • 直流集電�/Base Gain hfe Min200, 500, 1000
  • 最小工作溫�- 65 C
  • 工廠包裝�(shù)�75