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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MHCI06030-150M-R8

MHCI06030-150M-R8 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 12:10:48 查看 閱讀�19

MHCI06030-150M-R8 是一款高性能� N 沱道 MOSFET 功率晶體�,采� TO-252 (DPAK) 封裝形式。該器件適用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合。它具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高電路效率并降低功耗�
  其主要特�(diǎn)是采用了先�(jìn)的工藝技�(shù)以優(yōu)化開(kāi)�(guān)性能和熱特�,適合中高功率密度的�(yīng)用需��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�35nC
  總電容:1400pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

MHCI06030-150M-R8 具有非常低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 1.5mΩ,這使得其在高電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色。此�,該器件還擁有較低的柵極電荷,有助于�(shí)�(xiàn)快速的�(kāi)�(guān)�(dòng)作,從而減少開(kāi)�(guān)損��
  由于其較高的漏極電流能力和出色的熱管理設(shè)�(jì),這款 MOSFET 可以在緊湊型系統(tǒng)中提供高效的功率�(zhuǎn)換解決方��
  該產(chǎn)品的工作�(jié)溫范圍寬廣,能夠適應(yīng)惡劣�(huán)境下的運(yùn)行需�,同�(shí)具備良好的可靠性和�(wěn)定��
  另外,MHCI06030-150M-R8 � DPAK 封裝提供了卓越的散熱性能,便于將其集成到需要高效冷卻的�(shè)�(jì)之中�

�(yīng)�

該元器件廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS)
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  4. 工業(yè)控制與自�(dòng)�
  5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與逆變�
  6. 照明�(qū)�(dòng)(如 LED �(qū)�(dòng)�
  7. 通信電源
  這些�(yīng)用都依賴 MHCI06030-150M-R8 提供的高效率和可靠性來(lái)滿足�(yán)格的性能要求�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP55N06L
  STP30NF06L

mhci06030-150m-r8推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mhci06030-150m-r8�(chǎn)�