MHCI05030-2R2M-R8 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的增強(qiáng)型功率晶體管,屬于 MHCI 系列。該器件采用常關(guān)型設(shè)計(jì),支持高頻開關(guān)和高效能轉(zhuǎn)換,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線充電以及光伏逆變器等場(chǎng)景。其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝器件 (SMD),具有出色的熱性能和電氣性能。
該型號(hào)中的具體參數(shù)定義如下:MHCI 表示系列,050 表示額定電壓為 50V,30 表示最大導(dǎo)通電流能力為 30A,2R2M 表示導(dǎo)通電阻為 2.2mΩ,R8 表示封裝類型為 8 引腳 SMD 封裝。
額定電壓:50V
額定電流:30A
導(dǎo)通電阻:2.2mΩ
柵極電荷:65nC
輸入電容:1800pF
輸出電容:350pF
反向恢復(fù)時(shí)間:無(由于 GaN 的特性,不存在反向恢復(fù)問題)
工作溫度范圍:-40℃ 至 +150℃
MHCI05030-2R2M-R8 具備以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.2mΩ),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升整體效率。
2. 高頻開關(guān)能力,支持 MHz 級(jí)別的開關(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用。
3. 無反向恢復(fù)電荷,顯著減少了開關(guān)損耗。
4. 快速開關(guān)速度,能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率密度。
5. 出色的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于各種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備。
7. 使用 GaN 技術(shù),相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 提供更高效的功率轉(zhuǎn)換解決方案。
MHCI05030-2R2M-R8 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 消費(fèi)類快充適配器和無線充電器。
3. 工業(yè)用開關(guān)電源(SMPS)。
4. 電動(dòng)工具及家用電器的驅(qū)動(dòng)電路。
5. 新能源相關(guān)設(shè)備,如光伏逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)。
6. 通信設(shè)備中的高效電源模塊。
該器件憑借其高性能和可靠性,成為許多高效率電力電子應(yīng)用的理想選擇。
MHCI05020-2R2M-R8
MHCI05030-2R5M-R8
MHCI05020-2R5M-R8