日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MGSF2N02ELT1G

MGSF2N02ELT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 18:58:52 查看 閱讀�20

MGSF2N02ELT1G 是一款由 Microchip Technology 生產(chǎn)� N 河道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能�
  它適用于多種高效能開�(guān)�(yīng)用場(chǎng)合,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及負(fù)載開�(guān)�。其封裝形式� SOT-23 封裝,體積小且易于安�,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  連續(xù)漏極電流�2.1A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�95mΩ
  柵極電荷�4nC
  總電容:16pF
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

MGSF2N02ELT1G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,降低開�(guān)損耗并支持高頻操作�
  3. 小型� SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合便攜式�(shè)��
  4. 高可靠性設(shè)�(jì),能夠在寬溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)行�
  5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提升器件在�(shí)際應(yīng)用中的抗干擾能力�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. 手機(jī)和其他便攜式電子�(chǎn)品的�(fù)載開�(guān)�
  3. 小功率電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. LED �(qū)�(dòng)電路�
  5. 各種保護(hù)電路,如過流保護(hù)和短路保�(hù)�
  6. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�

替代型號(hào)

MGSF2N02ELT1G-A, MGSF2N02ELT1G-B

mgsf2n02elt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mgsf2n02elt1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

mgsf2n02elt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C85 毫歐 @ 3.6A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs3.5nC @ 4V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds150pF @ 5V
  • 功率 - 最�1.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MGSF2N02ELT1GOSTR