MG610360是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠有效提升電路效率并降低能��
MG610360屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其額定電壓和電流參�(shù)使其適用于中高功率的�(yīng)用場(chǎng)�。此外,該芯片還具備�(yōu)異的抗靜電能力(ESD)和可靠�,能夠在惡劣的工作條件下保持�(wěn)定運(yùn)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源極耐壓(Vdss)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�36A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.6mΩ
柵極電荷(Qg)�48nC
輸入電容(Ciss)�4750pF
最大功�(Ptot)�216W
工作溫度范圍(Tj)�-55� to +175�
MG610360采用了先�(jìn)的制程技�(shù),具備以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著減少傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,得益于較小的柵極電荷和輸出電容,適合高頻應(yīng)��
3. �(qiáng)大的電流承載能力,支持高�(dá)36A的連續(xù)漏極電流,滿足高功率需��
4. �(yōu)化的熱阻�(shè)�(jì),確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)��
5. 良好的抗靜電能力(ESD防護(hù)),增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性和耐用��
6. 小型封裝選項(xiàng),有助于節(jié)省PCB空間并簡(jiǎn)化布局�(shè)�(jì)�
MG610360廣泛用于需要高效能和高可靠性的電子�(shè)備中,具體應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流或主開�(guān)�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
3. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 汽車電子�(lǐng)�,如DC-DC�(zhuǎn)換器和電池管理系�(tǒng)(BMS��
6. 各種需要快速開�(guān)和低損耗特性的電力電子�(shè)備�
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP55N06