MG51XB9AE是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為需要高效能和低功耗的�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)能源效率和可靠性的�(yán)格要求。MG51XB9AE廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�18nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=11ns, toff=32ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
MG51XB9AE采用了增�(qiáng)型溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),從而顯著降低了�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)損��
該器件具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)��
�(nèi)置ESD保護(hù)電路提高了芯片的抗靜電能�,使其更適合于復(fù)雜電磁環(huán)境下的應(yīng)��
MG51XB9AE還支持高頻率操作,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(chǎng)�,同�(shí)具備出色的電流承載能力和短路耐受性能�
MG51XB9AE被廣泛用于消�(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)控制�(shè)備以及汽車電子系�(tǒng)中。具體應(yīng)用包括但不限于:
�(kāi)�(guān)電源適配器中的同步整流功能實(shí)�(xiàn)�
便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)管理�
DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)或無(wú)刷直流電�(jī)�(qū)�(dòng)�
電池管理系統(tǒng)中的充放電路徑控��
IRF540N
AO3400
FDP5570
Si4463DY