時間�2025/4/27 18:35:59
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MG51FB9AE是一款高性能的N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。它主要用于需要低導通電阻和快速開關性能的應用場�。該器件采用先進的制造工藝，能夠在高頻和高效率的工作條件下保持穩(wěn)定性能�
MG51FB9AE的設計目標是為電源管�、電機驅動以及各種工�(yè)應用提供高效的開關解決方�。其封裝形式通常為SOP-8，具有良好的散熱特性和電氣特��
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
持續(xù)漏極電流�9A
導通電阻（典型值）�4.5mΩ
總電荷量（Qg）：30nC
柵極電荷� Qgs）：15nC
開關時間：ton=12ns, toff=25ns
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提升效率�
2. 快速開關能�，適用于高頻開關應用�
3. 高電流承載能力，滿足大功率應用場景的需��
4. 熱穩(wěn)定性強，可在寬溫范圍內正常工作�
5. 小型化封裝設計，便于在緊湊空間內使用�
6. �(yōu)異的雪崩擊穿能力和抗靜電能力，提升了產品的可靠��
MG51FB9AE廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）中的同步整流器�
2. DC-DC轉換器中的高效開關元件�
3. 電機驅動電路，如無刷直流電機控制�
4. 電池保護和負載切��
5. 各種工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅動電��
IRF540N
STP90NE60
FDP17N60E
