MG2700E是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值)
柵極電荷�19nC
總電容:320pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)��
3. 較小的封裝尺�,便于在緊湊�(shè)�(jì)中使��
4. �(nèi)置反向二極管,提供額外的保護(hù)功能�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 具有良好的熱�(wěn)定性和抗浪涌能�,適合嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)��
1. �(kāi)�(guān)電源中的主開(kāi)�(guān)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
4. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)(BMS��
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP5800