MEM2N60THG是一款基于硅技�(shù)的高壓MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高電壓�(yīng)用設(shè)�。該器件采用TO-247封裝形式,具有良好的開關(guān)性能和較低的�(dǎo)通電阻,適用于各種電力電子系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換和開關(guān)操作。其主要特點包括高擊穿電�、低�(dǎo)通電阻以及出色的熱穩(wěn)定性,使其成為工業(yè)和汽車領(lǐng)域中高效功率管理的理想選��
這款MOSFET通常用于DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、電機驅(qū)動器以及其他需要處理高電壓和大電流的應(yīng)用場�。通過�(yōu)化的芯片�(shè)計和先進的制造工藝,MEM2N60THG能夠提供卓越的效率和可靠��
型號:MEM2N60THG
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:TO-247
最大漏源電�(Vds)�600V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�12A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5Ω(典型值,在Vgs=10V�)
功�(PD)�380W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
存儲溫度范圍(Tstg)�-55℃至+175�
1. 高擊穿電壓:該器件具備高�600V的漏源電�,能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定工��
2. 低導(dǎo)通電阻:在柵極電壓為10V時,�(dǎo)通電阻僅�3.5Ω,顯著降低了功率損��
3. 快速開�(guān)速度:由于采用了先進的硅技�(shù),MEM2N60THG擁有較快的開�(guān)速度,從而提高了系統(tǒng)的整體效��
4. 熱穩(wěn)定性強:其工作�(jié)溫范圍可�-55℃至+175℃,適應(yīng)極端溫度�(huán)��
5. 大電流承載能力:連續(xù)漏極電流�12A,適合高負載�(yīng)��
6. 可靠性高:經(jīng)過嚴格的�(zhì)量控制和測試,確保了長期使用中的�(wěn)定性與安全��
1. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于將直流電壓從一個水平轉(zhuǎn)換到另一個水�,例如在電源適配器或電池管理系統(tǒng)��
2. 逆變器:將直流電�(zhuǎn)化為交流�,廣泛應(yīng)用于太陽能發(fā)電系�(tǒng)和不間斷電源(UPS)�
3. 電機�(qū)動器:用于控制電動機的速度和方向,常見于家用電�、工�(yè)�(shè)備及電動��
4. 開關(guān)電源(SMPS):提供高效的電力�(zhuǎn)�,適用于計算機、通信�(shè)備等�
5. 脈寬�(diào)�(PWM)控制器:用于�(diào)節(jié)輸出電壓或電流,常用于LED照明和音頻放大器�
6. 工業(yè)自動化:如PLC、伺服系�(tǒng)等需要精確控制功率的場合�
IRFP260N
FDP18N60E
STP12NK60Z