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ME6232A33M3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 22:10:33 查看 閱讀�9

ME6232A33M3G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,適用于高頻、高效率電源�(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用增強(qiáng)� GaN �(chǎng)效應(yīng)晶體管技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著提升系統(tǒng)性能和能��
  ME6232A33M3G 的設(shè)�(jì)主要針對(duì) AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器、適配器、充電器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用。其封裝形式為表面貼裝(SMD�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)并優(yōu)化了散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  最大柵源電壓:+6V/-4V
  �(dǎo)通電阻:130mΩ(典型�,在 4.5V 柵極�(qū)�(dòng)下)
  連續(xù)漏極電流�8A
  總柵極電荷:35nC(典型值)
  反向恢復(fù)電荷:無(wú)(因 GaN �(jié)�(gòu)�(wú)體二極管�
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
  封裝形式:DFN8�3mm x 3mm�

特�

ME6232A33M3G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高效開關(guān)性能:由于其低導(dǎo)通電阻和低柵極電�,可以實(shí)�(xiàn)高頻操作同時(shí)保持高效��
  2. 快速開�(guān)速度:相比傳�(tǒng)� MOSFET,其開關(guān)�(shí)間更短,可減少開�(guān)損��
  3. 緊湊封裝:采� DFN8 封裝,適合小型化�(shè)�(jì),同�(shí)具備良好的散熱能��
  4. �(wú)反向恢復(fù)損耗:GaN 技�(shù)消除了體二極�,從而避免了與之相關(guān)的反向恢�(fù)損��
  5. 高可靠性:通過多種�(cè)試驗(yàn)�,確保在�(yán)苛環(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行�

�(yīng)�

ME6232A33M3G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):
   - AC-DC 適配�
   - USB-PD 充電�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
   - 汽車電子
   - 工業(yè)電源模塊
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   - �(wú)人機(jī)�(dòng)力系�(tǒng)
   - 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的小型電�(jī)控制
  4. 可再生能源:
   - 太陽(yáng)能微型逆變�
   - �(chǔ)能系�(tǒng)中的功率管理單元

替代型號(hào)

ME6218A33M3G
  ME6232A50M3G

me6232a33m3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)