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ME6211C12M5G-N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/27 14:27:27 查看 閱讀�28

ME6211C12M5G-N 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效能功率晶體�,屬� ME6211 系列。該�(chǎn)品采用增�(qiáng)� E 模式�(shè)�(jì),支持高頻開�(guān)和高效率�(yīng)用。其主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、快速開�(guān)性能和高可靠�,適用于電源�(zhuǎn)�、無線充電、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場��
  這款 GaN 功率晶體管通過�(yōu)化柵極驅(qū)�(dòng)和封裝技�(shù),能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的電氣特�,同�(shí)具備較小的寄生電感和電容,從而有效減少開�(guān)損耗�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  柵極閾值電壓:2.3V~4.3V
  工作溫度范圍�-55℃~+175�
  封裝形式:TO-247-4L

特�

ME6211C12M5G-N 的核心優(yōu)勢在于其采用了先�(jìn)的氮化鎵材料,使得器件在高頻和高壓條件下具有卓越的表�(xiàn)。以下為詳細(xì)特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支� MHz 級別的工作頻�,適合高頻應(yīng)用場景�
  3. 小型化的封裝�(shè)�(jì),能夠有效節(jié)� PCB 空間�
  4. �(nèi)置過溫保�(hù)功能,提高了器件在極端條件下的可靠��
  5. 與傳�(tǒng)硅基 MOSFET 相比,具備更低的 Qrr(反向恢�(fù)電荷)和 Qgs(柵極開�(guān)電荷),�(jìn)一步減少能量損��
  6. 具有良好的短路耐受能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)的魯棒��

�(yīng)�

ME6211C12M5G-N 廣泛�(yīng)用于各種高效率電力電子領(lǐng)�,具體包括:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS),如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 太陽能逆變器中的功率變換模��
  3. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的車載充電器及電�(jī)控制器�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻驅(qū)�(dòng)電路�
  5. 快充適配器和無線充電�(fā)射端�(shè)�(jì)�
  6. 高頻諧振�(zhuǎn)換器,例� LLC � CLLC �?fù)浣Y(jié)�(gòu)�

替代型號

ME6211C12M5G-P, ME6211C12M5G-A

me6211c12m5g-n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)