ME50N10是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開�(guān)等應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其成為高效功率管理的理想選擇。該型號由東芝(Toshiba)生�(chǎn),適用于多種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品�
最大漏源電壓:50V
最大連續(xù)漏極電流�10A
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�8.5mΩ
總功耗:10W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
ME50N10具備以下特點�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高效率�
2. 高電流處理能�,支持高�10A的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠運行�
5. 小型封裝�(shè)�,便于在緊湊空間�(nèi)進行布局�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的使用需求�
該MOSFET適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源中的主開�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓控制�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 負載開關(guān)以實�(xiàn)快速通斷功能�
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電保護電��
6. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率切換與控制模塊�
ME50N02,
IRF540N,
FDP55N10,
AO3400