ME2110A30PG是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于功率電子�(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適合用于直�-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電源管理以及電�(jī)�(qū)動等�(yīng)�。其采用PG-TO252-3封裝形式,能夠有效提升散熱性能�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�14A
�(dǎo)通電阻:1.6mΩ
柵極電荷�37nC
總電容:800pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝類型:PG-TO252-3
ME2110A30PG具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))在大電流條件下顯著降低功��
2. 高速開�(guān)能力使其適用于高頻開�(guān)�(yīng)��
3. 小型化封裝設(shè)�,可節(jié)省電路板空間�
4. 良好的熱性能有助于提高系�(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工��
6. 在高溫環(huán)境下仍能保持出色的電氣性能�
該芯片的主要�(yīng)用場景包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)元件�
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模��
5. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)控制與保�(hù)電路�
6. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器及控制器部分�
ME2110A30TG, FDP5510, IRFZ44N