ME2100B50PG是一款高性能的MOSFET功率晶體�,屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。它適用于高頻開(kāi)�(guān)和功率管理應(yīng)用,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特��
該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,能夠提供卓越的效率和可靠�。其封裝形式通常為T(mén)O-252(DPAK),適合表面貼裝技�(shù),便于自�(dòng)化生�(chǎn)和散熱優(yōu)化�
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�7A
�(dǎo)通電阻:30mΩ
柵極電荷�20nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:t_on=14ns, t_off=28ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TO-252(DPAK�
ME2100B50PG具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,使得其非常適合高頻�(yīng)用,例如DC-DC�(zhuǎn)換器和開(kāi)�(guān)電源�
3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),降低了�(qū)�(dòng)損耗�
4. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持性能�
5. 高雪崩耐量能力,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
4. LED�(qū)�(dòng)�
5. 電池保護(hù)電路
6. �(fù)載開(kāi)�(guān)
由于其高效的�(kāi)�(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,ME2100B50PG在需要高效率和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
ME2100B50TG, IRF540N, FDP5500