ME10N03D是一款由Microchip公司生產(chǎn)的MOSFET晶體管,采用SOT-23封裝形式。該器件主要應(yīng)用于低電壓、低功耗的場(chǎng)景中,能夠提供出色的開(kāi)關(guān)性能和較低的導(dǎo)通電阻。其設(shè)計(jì)適合于便攜式電子設(shè)備、電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及各種電源管理應(yīng)用。
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流:1.1A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.65Ω
柵極電荷:4nC
開(kāi)關(guān)時(shí)間:典型值ton=9ns,toff=13ns
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
ME10N03D具有非常低的導(dǎo)通電阻,可有效減少功率損耗并提高效率。
該器件的緊湊型SOT-23封裝使其非常適合空間受限的應(yīng)用。
其快速開(kāi)關(guān)能力確保在高頻操作時(shí)表現(xiàn)出色。
此外,它還具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)正常運(yùn)行。
ME10N03D廣泛用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。
適用于電池供電設(shè)備,例如手機(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)備。
可以用作DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流器元件。
同時(shí),也適用于小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)和信號(hào)切換等場(chǎng)景。
BSS138
FDS255AN
AO3400