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MDS1754RH 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 8:54:34 查看 閱讀�19

MDS1754RH 是一款高性能的雙� MOSFET �(qū)�(dòng)器芯片,適用于需要高電流�(qū)�(dòng)能力的應(yīng)用場�。該芯片�(shè)�(jì)用于�(qū)�(dòng) N 溝道� P 溝道 MOSFET 或� IGBT 的柵�,從而實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)�。MDS1754RH 采用 SOIC-8 封裝形式,具有較高的工作電壓范圍和快速的開關(guān)速度,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  其內(nèi)部電路結(jié)�(gòu)�(yōu)化了高低�(cè)�(qū)�(dòng)之間的匹配性能,同�(shí)集成了多種保�(hù)功能,包括欠壓鎖定(UVLO�、短路保�(hù)和過溫關(guān)斷等特�,確保在�(fù)雜的工作條件下仍能穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

供電電壓�6V � 20V
  輸出�(qū)�(dòng)電流:�1.5A
  傳播延遲�(shí)間:10ns(典型值)
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝形式:SOIC-8
  輸入兼容 CMOS/TTL:支�
  低靜�(tài)功耗:最� 1mA

特�

MDS1754RH 提供了卓越的高低�(cè)�(qū)�(dòng)匹配性能,能夠減少死區(qū)�(shí)間和開關(guān)損耗�
  該芯片具備非??斓膫鞑パ舆t�(shí)�,可有效提升系統(tǒng)的工作頻��
  集成� UVLO 功能能夠在電源電壓低于安全閾值時(shí)自動(dòng)�(guān)閉輸出,避免器件損壞�
  通過�(nèi)置的過溫保護(hù)�(jī)制,芯片可以在極端工作條件下自我保護(hù),延長使用壽��
  由于采用了先�(jìn)的制造工藝,MDS1754RH 具有較低的靜�(tài)功�,適合對能效要求較高的應(yīng)用環(huán)��
  此外,該芯片還兼容標(biāo)�(zhǔn)� CMOS � TTL 輸入信號(hào),簡化了與其他邏輯電路的接口�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

MDS1754RH 廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(lǐng)�,例� DC/DC �(zhuǎn)換器、逆變器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以� LED �(qū)�(dòng)電路��
  在汽車電子中,它被用來驅(qū)�(dòng)�(fā)�(dòng)�(jī)控制單元中的功率 MOSFET 或者用于車載充電設(shè)備�
  工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,MDS1754RH 可作為開�(guān)電源的核心驅(qū)�(dòng)元件,提供穩(wěn)定的功率輸出�
  消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本適配器或智能家居控制器也可利用這款芯片來實(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換�

替代型號(hào)

MDS1753RH, IRS2105, TC4420

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 詢價(jià)

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