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MDD1903RH 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 9:00:17 查看 閱讀�21

MDD1903RH是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于各種電源管理�(yīng)用場(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  該器件在�(shè)�(jì)�(shí)注重效率與散熱性能,使其能夠在高電流條件下保持�(wěn)定的�(yùn)行狀�(tài)。同�(shí),其出色的電氣特性使得它成為許多中低功率�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):MDD1903RH
  封裝:TO-252
  VDS(漏源電壓)�40V
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值@VGS=10V):8.5mΩ
  ID(持�(xù)漏極電流):38A
  VGS(柵源電壓):�20V
  fT(特征頻率)�7.6MHz
  �(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  工作溫度范圍�-55℃至+125�

特�

MDD1903RH具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on),有助于降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻工作環(huán)境下的高效能量轉(zhuǎn)��
  3. 較高的漏極電流承載能�,能夠滿足多種大電流�(yīng)用場(chǎng)景的需��
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局�(yōu)化�
  6. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),在極端溫度條件下仍能保持良好的性能表現(xiàn)�
  7. 提增�(qiáng)了產(chǎn)品的可靠��

�(yīng)�

MDD1903RH廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),如適配器、充電器��
  2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器模塊�
  3. �(fù)載開�(guān)與保�(hù)電路�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)及控制電��
  5. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單��
  7. LED�(qū)�(dòng)器以及其他需要高效功率切換的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

MDD1902RH, IRFZ44N, FDP5570N

mdd1903rh推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)