MCASE168BB5475KTNA01 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的高性能功率 MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的溝槽式工藝技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于要求高效率和高功率密度的�(yīng)用場景�
這款芯片主要針對汽車電子�(lǐng)域設(shè)�(jì),符� AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),能夠在極端溫度和高可靠性需求的�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
型號:MCASE168BB5475KTNA01
類型:N 溝道 MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�4.5mΩ
IDS(連續(xù)漏極電流):120A
Qg(柵極電荷)�39nC
VGS(th)(柵極開啟電壓)�2.2V~4.0V
EAS(雪崩能量)�3.2mJ
fT(特征頻率)�3.4MHz
封裝:TO-263-3(D2PAK�
MCASE168BB5475KTNA01 的設(shè)�(jì)注重高效能與可靠性的�(jié)合:
1. 采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),顯著降低導(dǎo)通電� RDS(on),從而減少傳�(dǎo)損耗并提升整體效率�
2. 支持高頻開關(guān)�(yīng)用,得益于其較低的柵極電� Qg 和優(yōu)化的開關(guān)性能�
3. 高額定電流能力(120A),適用于大功率�(zhuǎn)換器和驅(qū)動電��
4. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),確保在汽車�(yīng)用中的高可靠��
5. 寬工作溫度范圍:-55°C � +175°C,滿足嚴(yán)苛環(huán)境下的使用需��
6. 具備�(qiáng)固的雪崩耐受能力,提高系�(tǒng)的魯棒��
該芯片廣泛應(yīng)用于需要高效功率管理的場景中,包括但不限于�
1. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉(zhuǎn)向(EPS�、制動系�(tǒng)和發(fā)動機(jī)控制單元(ECU��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動控制器�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和�(fù)載切換�
4. 開關(guān)模式電源(SMPS)和太陽能逆變器中的功率級�
5. LED �(qū)動器和其他高功率照明解決方案�
NTMFS5C612N, IRFZ44N, FDP55N06L