MC30P6060A0T 是一款高性能的功� MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì)。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適用于各種高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�。其出色的熱特性和電氣特性使其在電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電信�(shè)備中得到廣泛�(yīng)��
該功� MOSFET 的主要特�(diǎn)是高效率和低損�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的工作性能。此�,它還具備過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)功能,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性�
型號(hào):MC30P6060A0T
類型:P-Channel MOSFET
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):60A
Ptot(總功耗)�120W
f(工作頻率)�500kHz
封裝形式:TO-247
MC30P6060A0T 具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)特�,能夠適�(yīng)高頻工作�(huán)�,適合用于開(kāi)�(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. �(qiáng)大的電流承載能力,支持高�(dá) 60A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需求�
4. 高耐壓能力,額定漏源極電壓� 60V,確保在�(fù)雜電路中的穩(wěn)定��
5. �(nèi)置保�(hù)功能,包括過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),有效防止器件因異常工況而損��
6. 良好的熱性能,允許在較高溫度下持�(xù)�(yùn)�,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠��
7. 封裝形式� TO-247,便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�
MC30P6060A0T 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器和逆變��
3. 電信�(shè)備中的功率管理模��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的高電流控��
6. UPS(不間斷電源)和其他電池管理系統(tǒng)�
由于其卓越的電氣特性和熱性能,這款 MOSFET 成為需要高效率和高可靠性的�(yīng)用的理想選擇�
IRF650PBF
STP60NF06
FDP6007