MC12093DR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的射頻功率晶體管。該器件專為高頻率應(yīng)用而設(shè)�(jì),主要用于無線通信�(lǐng)域中的功率放大器模塊、基站以及其他高頻無線電�(shè)備。其采用先�(jìn)的硅雙極型晶體管技�(shù)制�,具有卓越的增益和線性度性能�
該晶體管能夠在寬頻率范圍�(nèi)提供高效率和�(wěn)定性,并且�(nèi)置了保護(hù)電路以防止由于負(fù)載不匹配�(dǎo)致的損壞。這使� MC12093DR2G 成為需要可靠性和高性能表現(xiàn)的射頻系�(tǒng)的關(guān)鍵組��
型號:MC12093DR2G
類型:射頻功率晶體管
制造商:ON Semiconductor
封裝形式:SOT-89
工作頻率范圍�45MHz � 470MHz
最大輸出功率:50W
增益�20dB
電源電壓�28V
直流電流�6A
特征阻抗�50Ω
插入損耗:<1.5dB
MC12093DR2G 提供出色的射頻性能,支持從低頻到超高頻的應(yīng)用場�。其主要特性包括高輸出功率、良好的增益水平以及�(yōu)秀的線性度。此�,它還具備以下特�(diǎn)�
- �(nèi)置保�(hù)功能,確保在�(shí)際運(yùn)行中不會(huì)�?yàn)檫^熱或反射波功率過高而損��
- 在較寬的工作頻率范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能�
- 高效能量�(zhuǎn)�,減少熱量產(chǎn)生從而提升整體系�(tǒng)效率�
- 適用于多種通信�(biāo)�(zhǔn)下的功率放大需��
- 小型化封裝設(shè)�(jì),簡化PCB布局并降低生�(chǎn)成本�
MC12093DR2G 廣泛�(yīng)用于射頻功率放大的場合,特別是在無線通信基礎(chǔ)�(shè)施中扮演重要角色。具體應(yīng)用包括:
- 廣播電臺�(fā)射機(jī)中的射頻功率放大��
- 移動(dòng)通信基站的功率放大器模塊�
- 海事、航空等專業(yè)通信系統(tǒng)的功率放大器部分�
- 公共安全及軍事通信�(shè)備中的功率放大環(huán)節(jié)�
- 工業(yè)科學(xué)�(yī)療(ISM)頻段相�(guān)�(chǎn)品中的射頻能量輸出部��
MRF154AN, BLF188