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MC12093DR2G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 10:12:37 查看 閱讀�17

MC12093DR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的射頻功率晶體管。該器件專為高頻率應(yīng)用而設(shè)�(jì),主要用于無線通信�(lǐng)域中的功率放大器模塊、基站以及其他高頻無線電�(shè)備。其采用先�(jìn)的硅雙極型晶體管技�(shù)制�,具有卓越的增益和線性度性能�
  該晶體管能夠在寬頻率范圍�(nèi)提供高效率和�(wěn)定性,并且�(nèi)置了保護(hù)電路以防止由于負(fù)載不匹配�(dǎo)致的損壞。這使� MC12093DR2G 成為需要可靠性和高性能表現(xiàn)的射頻系�(tǒng)的關(guān)鍵組��

參數(shù)

型號:MC12093DR2G
  類型:射頻功率晶體管
  制造商:ON Semiconductor
  封裝形式:SOT-89
  工作頻率范圍�45MHz � 470MHz
  最大輸出功率:50W
  增益�20dB
  電源電壓�28V
  直流電流�6A
  特征阻抗�50Ω
  插入損耗:<1.5dB

特�

MC12093DR2G 提供出色的射頻性能,支持從低頻到超高頻的應(yīng)用場�。其主要特性包括高輸出功率、良好的增益水平以及�(yōu)秀的線性度。此�,它還具備以下特�(diǎn)�
  - �(nèi)置保�(hù)功能,確保在�(shí)際運(yùn)行中不會(huì)�?yàn)檫^熱或反射波功率過高而損��
  - 在較寬的工作頻率范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能�
  - 高效能量�(zhuǎn)�,減少熱量產(chǎn)生從而提升整體系�(tǒng)效率�
  - 適用于多種通信�(biāo)�(zhǔn)下的功率放大需��
  - 小型化封裝設(shè)�(jì),簡化PCB布局并降低生�(chǎn)成本�

�(yīng)�

MC12093DR2G 廣泛�(yīng)用于射頻功率放大的場合,特別是在無線通信基礎(chǔ)�(shè)施中扮演重要角色。具體應(yīng)用包括:
  - 廣播電臺�(fā)射機(jī)中的射頻功率放大��
  - 移動(dòng)通信基站的功率放大器模塊�
  - 海事、航空等專業(yè)通信系統(tǒng)的功率放大器部分�
  - 公共安全及軍事通信�(shè)備中的功率放大環(huán)節(jié)�
  - 工業(yè)科學(xué)�(yī)療(ISM)頻段相�(guān)�(chǎn)品中的射頻能量輸出部��

替代型號

MRF154AN, BLF188

mc12093dr2g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

mc12093dr2g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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mc12093dr2g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭�(shí)�/�(jì)�(shí) - �(shí)鐘發(fā)生器,PLL,頻率合成器
  • 系列-
  • 類型�(yù)定標(biāo)�
  • PLL-
  • 輸入CML,ECL
  • 輸出ECL
  • 電路�(shù)1
  • 比率 - 輸入:輸出-
  • 差分 - 輸入:輸出-
  • 頻率 - 最�1.1GHz
  • 除法�/乘法��/�
  • 電源電壓2.7 V ~ 5.5 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MC12093DR2G-NDMC12093DR2GOSTR