MC100EPT20DG 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,專為高效率開關(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,在導(dǎo)通電�、開�(guān)速度和耐熱性能等方面表�(xiàn)出色。其典型�(yīng)用場景包� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�、電源管理以及各種需要高效功率切換的電路�
該型號屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,能夠支持較高的工作電壓和電流,并且具備低導(dǎo)通電阻特性以減少功率損��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):100V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):20A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
功耗(Ptot):180W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
MC100EPT20DG 的主要特性如下:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性,能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)正常工作�
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠��
5. 小巧封裝尺寸,便� PCB 布局�(shè)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保友��
該器件還具有出色的雪崩能量耐受能力,適合嚴(yán)苛的工作�(huán)��
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的開�(guān)元件�
4. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊�
6. 通信�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
由于其高效的功率切換性能,MC100EPT20DG 成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇�
IRFZ44N
STP30NF10
FQP27P06