MBRS360T3G是一款超高速整流二極管,由ON Semiconductor公司生產(chǎn)。它采用SMB封裝,具有非常小的尺�,適用于高密度PCB�(shè)�(jì)。這款二極管具有低正向電壓降和快速恢�(fù)�(shí)間的特點(diǎn),使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)良好�
MBRS360T3G的最大正向電壓為0.71V,具有很低的�(dǎo)通壓�,這意味著在正向偏置時(shí)�(huì)有較小的能量損�。同�(shí),它的快速恢�(fù)�(shí)間為35ns,這意味著在反向偏置時(shí)可以迅速恢�(fù)到截�?fàn)顟B(tài)。這使得MBRS360T3G非常適用于高頻應(yīng)�,如�(kāi)�(guān)電源、逆變器和電感耦合器等�
此外,MBRS360T3G還具有高溫特性和低反向電�。它的最大工作溫度為150°C,可以在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),其反向電流非常�,最大為10μA。這使得MBRS360T3G非常適用于對(duì)能量效率和穩(wěn)定性要求較高的�(yīng)用�
封裝類型:SMB
最大正向電壓:0.71V
快速恢�(fù)�(shí)間:35ns
最大工作溫度:150°C
最大反向電流:10μA
MBRS360T3G采用PN�(jié)�(gòu),由P型半�(dǎo)體材料和N型半�(dǎo)體材料組成。它具有兩�(gè)電極,即正極(陽(yáng)極)和負(fù)極(陰極�,并且在兩�(gè)電極之間有一�(gè)PN�(jié)�
�(dāng)正向電壓施加在MBRS360T3G的正極上�(shí),P型區(qū)域的空穴和N型區(qū)域的電子�(huì)向PN�(jié)�(kuò)�。在PN�(jié)�(nèi)�,空穴和電子�(huì)重新組合,形成電流流�(dòng)。這時(shí),MBRS360T3G處于�(dǎo)通狀�(tài),電壓降較小�
�(dāng)反向電壓施加在MBRS360T3G的負(fù)極上�(shí),P型區(qū)域的空穴和N型區(qū)域的電子�(huì)被電�(chǎng)推向�(yuǎn)離PN�(jié)的方�。這時(shí),MBRS360T3G處于截止?fàn)顟B(tài),幾乎沒(méi)有電流流�(dòng)�
低正向電壓降:MBRS360T3G具有較低的正向電壓降,減少了能量損耗�
快速恢�(fù)�(shí)間:MBRS360T3G的快速恢�(fù)�(shí)間為35ns,使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
高溫特性:MBRS360T3G的最大工作溫度為150°C,適用于高溫�(huán)��
低反向電流:MBRS360T3G的最大反向電流為10μA,提供了�(wěn)定性和能量效率�
確定�(yīng)用需求和工作�(huán)�
選擇適當(dāng)?shù)碾娐吠負(fù)浜徒M�
�(jìn)行電路仿真和�(yōu)�
PCB布局和布�
原型制作和測(cè)�
�(chǎn)品驗(yàn)證和批量生產(chǎn)
�(guò)熱:�(yīng)確保MBRS360T3G的工作溫度不超過(guò)其額定最大溫�,可采取散熱措施如散熱片、散熱器��
�(guò)電流:應(yīng)根據(jù)�(shè)�(jì)要求選擇合適的電源和電阻,以防止�(guò)大的電流通過(guò)MBRS360T3G�
電壓�(guò)高:�(yīng)使用合適的電壓抑制器和保�(hù)電路,以防止�(guò)高的電壓損壞MBRS360T3G�
PCB布局�(wèn)題:�(yīng)合理布局和布�,減少電路中的干擾和雜散信號(hào)�