時間：2025/5/27 16:29:23
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MBRF30L60CTG 是一款 N 溝道功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），屬于 Infineon 的 MBR 系列。該器件采用了先進(jìn)的溝槽式技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，適合用于高效能的電源管理應(yīng)用。其封裝形式為 TO-247-3，適用于大功率場合。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：30A
導(dǎo)通電阻：1.8mΩ（典型值）
柵極電荷：95nC（典型值）
開關(guān)損耗：低
工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C
MBRF30L60CTG 使用了先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù)，具備非常低的導(dǎo)通電阻，從而減少了傳導(dǎo)損耗，提升了系統(tǒng)效率。
其高電流處理能力和低柵極電荷使得該器件非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
此外，TO-247-3 封裝提供了良好的熱性能，確保在高功率條件下能夠穩(wěn)定運行。
該器件還具有快速恢復(fù)能力，有助于減少開關(guān)過程中的能量損失。
MBRF30L60CTG 主要應(yīng)用于需要高效開關(guān)和低損耗的領(lǐng)域，包括但不限于：
直流-直流轉(zhuǎn)換器
電機(jī)驅(qū)動
太陽能逆變器
不間斷電源（UPS）
焊接設(shè)備
工業(yè)自動化控制
電動車充電系統(tǒng)
IRFB4110PBF
STW45N60DM2
FDP177AN
IXFN40N50T
INF77N60T2G
