MBRF20100G 是一款高性能� NPN 型硅功率晶體�,專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)�。該晶體管具有低飽和電壓、快速開�(guān)特性和高增益等�(yōu)�,適用于各種功率放大器、開�(guān)電源以及高頻電路��
集電�-�(fā)射極擊穿電壓�100V
集電極最大電流:20A
功率耗散�200W
直流電流增益(hFE):30~100
過渡頻率(fT):450MHz
存儲溫度范圍�-55℃至+150�
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
MBRF20100G 具有以下顯著特點�
1. 高擊穿電壓允許其在高壓環(huán)境下運行,同時保證穩(wěn)定��
2. 低飽和電壓減少功耗,提升效率�
3. 快速開�(guān)速度使其非常適合高頻�(yīng)�,如射頻功率放大器和高速開�(guān)電路�
4. 高電流能力支持大功率負載�(qū)��
5. 寬廣的工作溫度范圍使其能夠適�(yīng)惡劣的環(huán)境條��
6. 高可靠性設(shè)計確保長時間�(wěn)定運��
MBRF20100G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 射頻功率放大��
2. 開關(guān)電源中的高頻開關(guān)元件�
3. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率驅(qū)動電��
4. 通信系統(tǒng)中的信號放大模塊�
5. 高效電力�(zhuǎn)換器中的�(guān)鍵元��
6. 各種需要高功率和高頻性能的電子設(shè)��
MBR20100G, MRF20100G