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MBR120ESFT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 19:04:29 查看 閱讀�6

MBR120ESFT1G 是一款肖特基二極�,由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝形式,具有低正向電壓降和快速恢�(fù)�(shí)間的特點(diǎn),適用于高效率的電源�(zhuǎn)�、續(xù)流二極管以及各種�(kāi)�(guān)電源�(yīng)用。其額定電流� 2A,峰值工作電壓為 120V,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  肖特基二極管因其低功耗特性而廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、通信�(shè)�、工�(yè)控制以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景中�

參數(shù)

最大正向電流:2A
  峰值反向電壓:120V
  正向電壓降(典型值)�0.53V
  反向漏電流(最大��25℃)�1mA
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  熱阻 (Junction to Ambient)�40°C/W

特�

MBR120ESFT1G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 超低正向電壓降(VF),有助于降低導(dǎo)通損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速恢�(fù)性能,確保在高頻�(kāi)�(guān)電路中的�(wěn)定運(yùn)��
  3. 高溫適應(yīng)�,能夠在高達(dá) 175� 的結(jié)溫下正常工作,適合高溫環(huán)境下的應(yīng)��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
  5. 緊湊� TO-252 封裝,節(jié)� PCB 空間,便于表面貼裝工藝(SMD��
  6. 出色的浪涌能�,能承受較大的瞬�(tài)電流沖擊�

�(yīng)�

該型�(hào)的肖特基二極� MBR120ESFT1G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的整流和�(xù)流二極管�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流電路�
  3. 太陽(yáng)能逆變器及電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)和能量傳��
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(xù)流保�(hù)�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與保�(hù)電路�

替代型號(hào)

MBR120HTL-TP, MBR120SLT3G, MBR120VLSFT3G

mbr120esft1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mbr120esft1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

mbr120esft1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類�肖特�
  • 電壓 - (Vr)(最大)20V
  • 電流 - 平均整流 (Io)1A
  • 電壓 - � If �(shí)為正� (Vf)(最大)530mV @ 1A
  • 速度快速恢�(fù) = 200mA(Io�
  • 反向恢復(fù)�(shí)�(trr)-
  • 電流 - � Vr �(shí)反向漏電10µA @ 20V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOD-123F
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOD-123L
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱MBR120ESFT1GOSDKR