MBR120ESFT1G 是一款肖特基二極�,由 ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝形式,具有低正向電壓降和快速恢�(fù)�(shí)間的特點(diǎn),適用于高效率的電源�(zhuǎn)�、續(xù)流二極管以及各種�(kāi)�(guān)電源�(yīng)用。其額定電流� 2A,峰值工作電壓為 120V,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
肖特基二極管因其低功耗特性而廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、通信�(shè)�、工�(yè)控制以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景中�
最大正向電流:2A
峰值反向電壓:120V
正向電壓降(典型值)�0.53V
反向漏電流(最大��25℃)�1mA
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝類型:TO-252 (DPAK)
熱阻 (Junction to Ambient)�40°C/W
MBR120ESFT1G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 超低正向電壓降(VF),有助于降低導(dǎo)通損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
2. 快速恢�(fù)性能,確保在高頻�(kāi)�(guān)電路中的�(wěn)定運(yùn)��
3. 高溫適應(yīng)�,能夠在高達(dá) 175� 的結(jié)溫下正常工作,適合高溫環(huán)境下的應(yīng)��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
5. 緊湊� TO-252 封裝,節(jié)� PCB 空間,便于表面貼裝工藝(SMD��
6. 出色的浪涌能�,能承受較大的瞬�(tài)電流沖擊�
該型�(hào)的肖特基二極� MBR120ESFT1G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的整流和�(xù)流二極管�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流電路�
3. 太陽(yáng)能逆變器及電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)和能量傳��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(xù)流保�(hù)�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與保�(hù)電路�
MBR120HTL-TP, MBR120SLT3G, MBR120VLSFT3G