時間：2025/5/23 11:36:12
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MB85RS16PNF-G-JNERE1 是一款基于 FRAM（鐵電隨機存取存儲器）技術(shù)的非易失性存儲器芯片。FRAM 技術(shù)結(jié)合了 RAM 的高速讀寫特性和非易失性存儲的特點，使其在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。該芯片由富士通半導(dǎo)體生產(chǎn)，適用于需要頻繁寫入和快速響應(yīng)的應(yīng)用場景。
MB85RS16PNF 系列支持 I2C 接口，工作電壓范圍為 1.8V 至 3.6V，具有低功耗和高耐用性的特點。其存儲容量為 16Kb（2048 字節(jié)），采用 SOP-8 封裝形式。
存儲容量：16Kb (2048 字節(jié))
接口類型：I2C
工作電壓：1.8V 至 3.6V
工作電流：最大 3mA（典型值 1mA）
待機電流：最大 1μA
存儲 endurance：超過 10^12 次寫入/擦除周期
數(shù)據(jù)保持時間：10 年（在最高 85°C 條件下）
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
封裝形式：SOP-8
1. 高速寫入與非易失性：
MB85RS16PNF 支持無需等待時間的即時寫入操作，并且即使在斷電情況下也能保存數(shù)據(jù)。
2. 超長壽命：
由于 FRAM 技術(shù)的本質(zhì)，該芯片可以承受超過 10^12 次寫入/擦除周期，非常適合高頻數(shù)據(jù)記錄場景。
3. 低功耗：
相比傳統(tǒng)的 EEPROM 和閃存，MB85RS16PNF 在寫入操作時的功耗顯著降低。
4. 快速恢復(fù)能力：
芯片在上電后能夠迅速進入工作狀態(tài)，延遲時間極短。
5. 簡化的系統(tǒng)設(shè)計：
由于無需像閃存一樣進行頁面管理或錯誤校正碼處理，因此使用 MB85RS16PNF 可以簡化系統(tǒng)設(shè)計并減少整體 BOM 成本。
1. 工業(yè)自動化：
用于實時數(shù)據(jù)記錄、配置存儲以及關(guān)鍵狀態(tài)信息保存。
2. 醫(yī)療設(shè)備：
如便攜式健康監(jiān)測設(shè)備中，可用于存儲患者數(shù)據(jù)和設(shè)備設(shè)置。
3. 物聯(lián)網(wǎng) (IoT)：
適合應(yīng)用于需要頻繁寫入傳感器數(shù)據(jù)的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點。
4. 計量表：
例如智能電表中的數(shù)據(jù)日志記錄功能。
5. 消費類電子產(chǎn)品：
用作用戶偏好設(shè)置、固件升級緩存等功能的存儲介質(zhì)。
MB85RS16TYM-G-NHECE1, MB85RS16PNF-G-JNIRE1
