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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MB15E07RFV1-G-BND-ER

MB15E07RFV1-G-BND-ER 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:51:40 查看 閱讀�15

MB15E07RFV1-G-BND-ER 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高頻和高效功率�(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、通信基礎(chǔ)�(shè)施以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的高性能需求場(chǎng)��
  這款 GaN 器件�(jié)合了硅基工藝和氮化鎵材料的優(yōu)�(shì),能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)�,同�(shí)減少系統(tǒng)尺寸和重�。此外,MB15E07RFV1-G-BND-ER 的封裝形式經(jīng)過優(yōu)�,能夠提高散熱性能并簡(jiǎn)� PCB 布局�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻:70mΩ
  柵極閾值電壓:2V~4V
  工作�(jié)溫范圍:-55℃~150�
  封裝形式:LFPAK56D

特�

MB15E07RFV1-G-BND-ER 的主要特性包括:
  1. 低導(dǎo)通電� (RDS(on)),可降低傳導(dǎo)損耗,提升效率�
  2. 高開�(guān)速度,支持高頻操�,從而減小無源元件尺��
  3. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠��
  4. 增強(qiáng)� GaN 技�(shù),確保在正常工作條件下僅在正柵極電壓下導(dǎo)��
  5. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適用于汽車�(jí)�(yīng)��
  6. 封裝形式緊湊且具備良好的熱性能,適合高密度�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

MB15E07RFV1-G-BND-ER 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)類快充適配器,如 USB-PD 充電��
  2. �(shù)�(jù)中心和通信�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 太陽能微型逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)�
  4. 汽車電子中的 OBC(車載充電器)與 DC-DC �(zhuǎn)換模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻功率變換電��
  6. 音頻放大器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)��

替代型號(hào)

MB15E07RFV1-G-BND-ER 的替代型�(hào)包括 MBH15E07WFT1G � GAN063-650WSA�

mb15e07rfv1-g-bnd-er推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)