MAZ8150GML 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效率功率開關(guān)晶體管,專為高頻、高功率密度�(yīng)用設(shè)�(jì)。它采用先�(jìn)的封裝技�(shù)以實(shí)�(xiàn)低寄生電感和高散熱性能。該器件適用� DC-DC �(zhuǎn)換器、圖騰柱 PFC 和其他需要快速開�(guān)速度的電源系�(tǒng)�
MAZ8150GML 的設(shè)�(jì)使其能夠在高壓條件下提供卓越的效率表�(xiàn),并具備極低的導(dǎo)通電�,從而減少功率損��
額定電壓�650V
額定電流�150A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
最大漏源電壓:700V
最大柵源電壓:+6V/-4V
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于� GaN 技�(shù)�
開關(guān)頻率范圍:高�(dá) 2MHz
MAZ8150GML 具備出色的高頻開�(guān)能力,同�(shí)保持較低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。其主要特性包括:
1. 高效的氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體材�,確保更快的開關(guān)速度和更低的能量損失�
2. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能以提高可靠��
3. 封裝形式�(yōu)化了熱管理與電氣性能,使器件在高功率�(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
4. 極低的輸入和輸出電容,有助于�(jìn)一步降低開�(guān)損��
5. 不受傳統(tǒng)硅基 MOSFET 反向恢復(fù)�(shí)間限制的影響,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
6. 工作溫度范圍寬廣,能夠適�(yīng)惡劣的工作條��
這些特點(diǎn)使得 MAZ8150GML 成為下一代高效電源轉(zhuǎn)換的理想選擇�
MAZ8150GML 廣泛�(yīng)用于各種高性能電力電子�(shè)�,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源中的高� DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 圖騰柱無� PFC �?fù)浣Y(jié)�(gòu)以提升功率因�(shù)校正效率�
3. 快速充電適配器,如 USB-PD 充電器等�
4. 新能源汽車中的車載充電器 (OBC) � DC/DC �(zhuǎn)換器�
5. 工業(yè)�(jí) SMPS(開�(guān)模式電源)解決方��
6. 無線充電�(fā)射端模塊�
7. 光伏逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部分�
由于其卓越的性能和高頻特�,MAZ8150GML 在現(xiàn)代電力電子技�(shù)中扮演著越來越重要的角色�
MAZ8150GMSL, GANE150R035A65