MA3X55100L是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
MA3X55100L的設(shè)�(jì)�(yōu)化了其在高頻�(kāi)�(guān)條件下的性能表現(xiàn),同�(shí)具備出色的熱�(wěn)定性和抗電磁干擾能�。此外,該器件還采用了緊湊型封裝,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�100V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�55A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
柵極電荷(Qg)�80nC
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá)500kHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),僅�1.5mΩ,可有效減少�(dǎo)通損耗�
2. 支持高達(dá)55A的連續(xù)漏極電流,適合大電流�(yīng)用環(huán)��
3. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持最�500kHz的開(kāi)�(guān)頻率,滿足高頻應(yīng)用需��
4. 采用�(jiān)固耐用的封裝設(shè)�(jì),能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)��
5. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)芯片的可靠性與抗干擾能��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛材料使��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)或同步整流元��
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 新能源領(lǐng)�,例如太�(yáng)能逆變器和電動(dòng)車控制器�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率器��
6. 快速充電適配器及其他便攜式電子�(shè)備的功率管理單元�
IRFZ44N
STP55NF06
FDP5500