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MA0201CG0R4D250 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/25 10:12:53 查看 閱讀�43

MA0201CG0R4D250 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯片,專為高頻�、高效率的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于電源適配�、快充設(shè)備以及工�(yè)電源等領(lǐng)��
  這款芯片集成了柵極驅(qū)�(dòng)電路與保�(hù)功能,能夠在高頻工作條件下保持穩(wěn)定性能,同�(shí)降低系統(tǒng)損�,提升整體能��

參數(shù)

型號(hào):MA0201CG0R4D250
  類型:GaN 功率晶體�
  最大漏源電壓:650V
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  最大電流:8A
  封裝形式:TO-252
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  柵極電荷�35nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:10ns

特�

1. 高效�(kāi)�(guān)性能:得益于 GaN 材料的優(yōu)異特�,該芯片可實(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度和更低的�(kāi)�(guān)損�,從而支持高頻應(yīng)��
  2. 小型化設(shè)�(jì):相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,GaN 器件在相同功率等�(jí)下體積更�,有助于�. �(nèi)置保�(hù)功能:集成過(guò)流保�(hù)和熱�(guān)斷機(jī)�,確保芯片在異常情況下依然安全可��
  4. �(wěn)定性強(qiáng):經(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)試驗(yàn)�,在極端�(huán)境和�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行中表現(xiàn)出色�
  5. 易于�(qū)�(dòng):優(yōu)化后的柵極驅(qū)�(dòng)特性使其兼容現(xiàn)有主流驅(qū)�(dòng)方案,簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)流程�

�(yīng)�

1. USB-PD 快速充電器:支持多�(xié)議快�,滿足現(xiàn)代消�(fèi)類電子產(chǎn)品的高功率需��
  2. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS):提高傳�(tǒng) AC-DC �(zhuǎn)換器的效率并減少熱量�(chǎn)生�
  3. �(wú)線充電發(fā)射端:提供更高頻率的支持以實(shí)�(xiàn)更高效的能量傳輸�
  4. 工業(yè)�(jí)電源:如 LED �(qū)�(dòng)�、電�(jī)控制器等,要求高性能和高可靠性的�(chǎng)��
  5. 通信電源:為基站和其他通信基礎(chǔ)�(shè)施提供穩(wěn)定的供電解決方案�

替代型號(hào)

MA0201CG0R6D250, MA0201CG0R4D300

ma0201cg0r4d250推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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  • 詢價(jià)