M5M5256BRV-10L 是由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的一款低功耗靜�(tài)隨機存取存儲器(SRAM�。該器件采用先進的CMOS工藝制�,具有高可靠�、低功耗和快速訪問的特點。其主要�(yīng)用領(lǐng)域包括工�(yè)控制、通信�(shè)備、網(wǎng)�(luò)系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備以及需要高性能緩存的嵌入式系統(tǒng)�
這款SRAM提供512K x 16bit 的存儲容�,支持高速數(shù)�(jù)讀寫操�,并且具有較低的待機功�。其封裝形式為FBGA-100,引腳間距為1.0mm,適合高密度電路板設(shè)��
存儲容量�512K x 16bit
�(shù)�(jù)寬度�16�
工作電壓�1.71V � 1.98V
訪問時間�10ns
封裝類型:FBGA-100
引腳間距�1.0mm
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
待機功耗:典型� 10μW
活躍功耗:最� 350mW
M5M5256BRV-10L 提供了出色的性能和低功耗表�(xiàn)。它支持快速的�(shù)�(jù)訪問時間�10ns�,非常適合需要高頻數(shù)�(jù)交換的應(yīng)用場��
此外,該器件采用了超低功耗技�(shù),在待機模式下的功耗非常低,有助于延長電池供電系統(tǒng)的續(xù)航時間�
其工作電壓范圍較寬(1.71V � 1.98V�,能夠適�(yīng)不同的電源設(shè)計需�。同時,該芯片的工作溫度范圍覆蓋了工�(yè)級標準(-40°C � +85°C�,保證了在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性�
該器件還具有�(nèi)置的自刷新功�,進一步簡化了系統(tǒng)�(shè)計并減少了外部元件的需求�
M5M5256BRV-10L 廣泛�(yīng)用于各種需要高性能SRAM存儲的領(lǐng)�,例如:
- 工業(yè)自動化控制系�(tǒng)中的緩存模塊
- �(wǎng)�(luò)路由�、交換機等通信�(shè)備中的數(shù)�(jù)緩沖
- �(yī)療成像設(shè)備中的圖像處�
- 嵌入式系�(tǒng)中的臨時�(shù)�(jù)存儲
- 高速數(shù)�(jù)采集與處理系�(tǒng)
- 多媒體播放器和其他消費類電子�(chǎn)品中的高速緩�
由于其低功耗和高可靠性特點,該器件也非常適合便攜式和移動�(shè)備使��
M5M5256BHV-10L
M5M5256BRN-10L
M5M5256BHV-10E