M57959L-01R是一款由三菱電機(Mitsubishi Electric)生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,專為高電壓和高電流應用設計。該器件采用TO-247封裝形式,具備出色的耐壓性能和低導通電阻特�,使其非常適合用于開關電�、逆變�、電機驅動以及工�(yè)控制等領域。其內部采用了先進的DMOS技�,確保了高效能和高可靠��
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�16A
導通電阻:1.8Ω(典型值)
柵極電荷�35nC(最大值)
開關速度:快速恢�
工作溫度范圍�-55℃至+150�
M57959L-01R具有以下顯著特點�
1. 高額定電壓(1200V),能夠承受較高的反向電壓沖擊�
2. 低導通電阻設�,在高電流環(huán)境下可降低功耗并提高效率�
3. 快速開關能�,適合高頻開關電路的應用場景�
4. 內置保護功能,增強設備的�(wěn)定性和使用壽命�
5. 兼容性強,易于與其他外圍電路集成�
6. 工作溫度范圍�,適應各種惡劣環(huán)境下的運行需��
該芯片主要應用于以下幾個領域:
1. 開關電源(SMPS):在AC-DC轉換器中作為主功率開關元��
2. 逆變器:用于光伏逆變�、UPS不間斷電源等�(chǎn)��
3. 電機驅動:控制直流無刷電機或步進電機的運行狀�(tài)�
4. 工業(yè)自動化:包括焊接�、變頻器和其他工�(yè)級電力電子設��
5. 其他高電壓大電流場景:如電動車充電系�(tǒng)、電池管理系�(tǒng)(BMS)等�
M57962L-01R, IRFP460, STP16N120K5