M51953BFP#CF0R 是一種高�、低功耗的 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�,由三菱電機(jī)(現(xiàn)為瑞薩電子的一部分)生�(chǎn)。該芯片采用 44 引腳 PLCC 封裝,具有高可靠性和�(wěn)定�,適用于需要快速數(shù)�(jù)訪問和低功耗特性的�(yīng)用場(chǎng)��
這款 SRAM 提供� 512K x 8 的存�(chǔ)容量,并且支持標(biāo)�(zhǔn)的同步和異步操作模式,使其非常適合用于嵌入式系統(tǒng)、工�(yè)控制、通信�(shè)備以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的緩存或臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)需��
存儲(chǔ)容量�512KB
存儲(chǔ)類型:SRAM
接口類型:并�
工作電壓(Vcc)�3.3V
�(shù)�(jù)寬度�8�
封裝形式:PLCC-44
引腳�(shù)�44
最大訪問時(shí)間:70ns
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝類型:塑料封�
M51953BFP#CF0R 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 快速訪問時(shí)間:� 70 納秒的最大訪問時(shí)間確保了在高頻應(yīng)用中能夠快速讀寫數(shù)�(jù)�
2. 低功耗設(shè)�(jì):即使在高速運(yùn)行時(shí),該芯片也保持較低的功耗,非常適合�(duì)能耗敏感的�(yīng)用場(chǎng)��
3. 寬工作溫度范圍:-40°C � +85°C 的工作溫度范圍使得該器件可以在廣泛的�(huán)境中�(wěn)定運(yùn)�,包括工�(yè)�(jí)�(yīng)��
4. 可靠性高:具備良好的抗電磁干擾能力,能夠在復(fù)雜的電磁�(huán)境下正常工作�
5. 支持同步/異步操作:允許用戶根�(jù)具體需求選擇不同的操作模式,提高了靈活��
M51953BFP#CF0R 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 嵌入式系�(tǒng):作為處理器或微控制器的外部存儲(chǔ)器,提供臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)功能�
2. 工業(yè)控制:用于工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的數(shù)�(jù)緩沖和臨�(shí)存儲(chǔ)�
3. 通信�(shè)備:在網(wǎng)�(luò)交換�(jī)、路由器等通信�(shè)備中用作緩存�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如打印機(jī)、掃描儀等需要快速數(shù)�(jù)處理的設(shè)��
5. �(yī)療設(shè)備:例如�(jiān)�(hù)儀、超聲波�(shè)備等需要實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)和處理的�(chǎng)��
M51953BP, M51953ALP