M3253506E1Z473JZMBTR 是一款高性能的鉭電容�,屬于片式固體鉭電容器系�。它具有低等效串�(lián)電阻(ESR�、高頻率特性和�(yōu)異的溫度�(wěn)定性,廣泛�(yīng)用于需要高頻濾波和電源去耦的�(yīng)用中。此型號(hào)采用了先�(jìn)的制造工藝,確保了其在高可靠性場(chǎng)景中的穩(wěn)定表�(xiàn)�
容量�4.7μF
額定電壓�35V
工作溫度范圍�-55� � +125�
封裝形式:表面貼�
尺寸:EIA 1812
ESR(典型值)�0.01Ω
絕緣電阻:≥ 10MΩ
耐紋波電流能力:�
M3253506E1Z473JZMBTR 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高可靠性和�(zhǎng)壽命�(shè)�(jì),適合要求嚴(yán)苛的工作�(huán)��
2. 超低 ESR 特性使其能夠有效抑制高頻噪聲并提高電路效率�
3. 采用先�(jìn)的濕法陽極技�(shù),保證了�(chǎn)品的�(wěn)定性和一致��
4. 在極端溫度條件下仍能保持良好的電氣性能�
5. 表面貼裝封裝形式支持高效的自�(dòng)化生�(chǎn)流程�
該型�(hào)電容器適用于多種電子�(shè)備領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 工業(yè)控制系統(tǒng)的電源濾��
2. �(yī)療設(shè)備中的信�(hào)�(diào)理電路�
3. 通信基站的射頻前端模��
4. 軍用及航天級(jí)電子系統(tǒng)中的�(guān)鍵元件�
5. 高速數(shù)字電路的去耦網(wǎng)�(luò)�
CWR18、TPSA1H475K035M0300