M29W256GH70N6E 是一款由 STMicroelectronics(意法半導(dǎo)體)制造的 32Mb(4M x 8 位)串行閃存芯片。該器件采用 CMOS 工藝,支持標(biāo)準(zhǔn) JEDEC 和 SPI Flash 命令集,適用于需要高可靠性和低功耗的嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用。它通常用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、通信設(shè)備以及汽車電子等領(lǐng)域。
這款閃存芯片具有快速擦寫能力、多樣的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制和靈活的工作電壓范圍,使其成為許多現(xiàn)代電子系統(tǒng)中的理想選擇。
容量:32Mb
組織結(jié)構(gòu):4M x 8
接口類型:SPI
工作電壓Vcc:2.7V 至 3.6V
工作溫度:-40°C 至 +85°C
封裝形式:SOIC-8, TSSOP-8
擦除時(shí)間:典型值 3 秒
編程時(shí)間:典型值 1 毫秒
讀取時(shí)間:最高 50MHz 頻率
數(shù)據(jù)保存時(shí)間:20 年
M29W256GH70N6E 提供了多種功能以增強(qiáng)其性能和可靠性:
1. 支持標(biāo)準(zhǔn)的 SPI Flash 命令集,兼容性強(qiáng)。
2. 內(nèi)置硬件寫保護(hù)功能,防止意外寫入或擦除操作。
3. 快速扇區(qū)擦除與塊擦除模式,能夠顯著提升擦寫效率。
4. 低功耗設(shè)計(jì),在待機(jī)狀態(tài)下電流消耗極低。
5. 具備可選的軟件寫保護(hù)選項(xiàng),進(jìn)一步保障數(shù)據(jù)完整性。
6. 扇區(qū)劃分精細(xì),支持小至 4KB 的獨(dú)立擦除單元,適合頻繁更新的小數(shù)據(jù)塊應(yīng)用。
7. 寬工作電壓范圍確保在不同環(huán)境下的穩(wěn)定性。
8. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
M29W256GH70N6E 適用于廣泛的場景:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如數(shù)碼相機(jī)、打印機(jī)和機(jī)頂盒。
2. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的固件存儲(chǔ)。
3. 網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品,例如路由器、交換機(jī)等的引導(dǎo)代碼存儲(chǔ)。
4. 汽車電子系統(tǒng)的程序存儲(chǔ),包括儀表盤、娛樂系統(tǒng)等。
5. 醫(yī)療設(shè)備中關(guān)鍵參數(shù)的非易失性保存。
6. 物聯(lián)網(wǎng)終端節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)記錄和配置信息存儲(chǔ)。
M29W256GL70N6E, M29W256GH60N6E