M21245G-14是一款基于SRAM工藝的高性能、高可靠性存儲器芯片,主要應(yīng)用于航空航天、軍工以及工�(yè)控制�(lǐng)�。該芯片具有非易失性特�(diǎn),能夠在斷電后保�?jǐn)?shù)�(jù)完整性,同時(shí)具備高速讀寫能力和�(yōu)異的抗輻射性能,確保在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
這款芯片采用CMOS技�(shù)制�,具有低功耗特�,適合長�(shí)間運(yùn)行的任務(wù)�(guān)鍵型�(yīng)用場景�
類型:非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲�(NVSRAM)
容量�2M x 32�
接口:標(biāo)�(zhǔn)并行接口
工作電壓�3.0V�3.6V
工作溫度范圍�-55°C�+125°C
封裝形式:陶瓷扁平封�(48引腳)
�(shù)�(jù)保存�(shí)間:超過10�
寫入周期:無限制
抗輻射性能:總劑量高達(dá)100 krad(Si)
M21245G-14具有非易失性功�,在電源中斷�(shí)通過�(nèi)部電池或外部供電可以自動(dòng)保存�(shù)�(jù),無需額外的刷新操�。其高速訪問速度可達(dá)70ns,非常適合實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)采集和處理任�(wù)�
此外,該芯片具備極高的可靠性和�(wěn)定�,經(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量檢測流程,符合MIL-STD-883�(biāo)�(zhǔn)要求。它的寬溫工作范圍使其適用于極端�(huán)境下的應(yīng)�,例如衛(wèi)星通信、導(dǎo)彈制�(dǎo)系統(tǒng)等。同�(shí),其抗輻射能力保證了在高輻射�(huán)境中的正常運(yùn)作�
M21245G-14廣泛�(yīng)用于需要高可靠�、高�(wěn)定性的場景中,如航空航天領(lǐng)域的�(wèi)�、飛行器控制系統(tǒng);軍事領(lǐng)域的雷達(dá)、武器制�(dǎo)系統(tǒng);工�(yè)自動(dòng)化中的數(shù)�(jù)記錄儀、實(shí)�(shí)�(jiān)控設(shè)備等�
此外,由于其出色的抗輻射能力,也常用于核電站�(jiān)測系�(tǒng)、深空探測設(shè)備以及其他對�(shù)�(jù)完整性有極高要求的場��
M21245G-12
M21245F-14