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M13S128168A-5TG2N 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 10:34:25 查看 閱讀：8

M13S128168A-5TG2N是一款高性能的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM），采用先進(jìn)的CMOS工藝制造。該芯片具備高速度、低功耗以及高可靠性等特性，適用于需要快速數(shù)據(jù)訪問和處理的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　這款SRAM具有128K x 16位的存儲(chǔ)容量，總存儲(chǔ)量為2M比特，并支持5V的工作電壓范圍。其封裝形式為TQFP（薄型四方扁平封裝），引腳數(shù)為44，適合在空間有限的電子設(shè)備中使用。

參數(shù)

存儲(chǔ)容量：128K x 16位
　　工作電壓：4.5V 至 5.5V
　　訪問時(shí)間：5ns
　　數(shù)據(jù)保持時(shí)間：無限（在供電條件下）
　　工作溫度范圍：0°C 至 70°C
　　封裝類型：TQFP-44
　　引腳間距：0.8mm
　　最大功耗：350mW

特性

M13S128168A-5TG2N的主要特性包括：
　　1. 高速訪問時(shí)間僅為5ns，確保快速的數(shù)據(jù)讀寫操作。
　　2. 提供128K x 16位的大容量存儲(chǔ)空間，滿足復(fù)雜應(yīng)用的需求。
　　3. CMOS工藝保證了低功耗和高可靠性，特別適合便攜式或電池供電設(shè)備。
　　4. 具備三態(tài)輸出緩沖器，便于與其他邏輯電路集成。
　　5. 支持字節(jié)使能功能，用戶可以選擇性地對(duì)單個(gè)字節(jié)進(jìn)行操作，優(yōu)化系統(tǒng)性能。
　　6. 內(nèi)置自刷新機(jī)制，在待機(jī)模式下可降低功耗。
　　7. 封裝緊湊，引腳布局合理，易于安裝和焊接。

應(yīng)用

由于其卓越的性能和靈活性，M13S128168A-5TG2N被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 工業(yè)控制：用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)，提供快速響應(yīng)能力。
　　2. 網(wǎng)絡(luò)通信：用作高速緩存，提升路由器、交換機(jī)等設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸效率。
　　3. 醫(yī)療設(shè)備：如監(jiān)護(hù)儀和超聲波設(shè)備中的圖像處理部分，需要穩(wěn)定且快速的存儲(chǔ)支持。
　　4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：例如高端數(shù)碼相機(jī)和游戲機(jī)中的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
　　5. 嵌入式系統(tǒng)：作為主處理器的外部存儲(chǔ)擴(kuò)展，增強(qiáng)系統(tǒng)的整體性能。

替代型號(hào)

M13S128168A-7TG2N, M13S128168A-10TG2N

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