LSF0102DCUR 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,專為高�、高效應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝和材料,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高耐壓性能,適用于各類開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載點(diǎn)(POL)�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)��
通過�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)與封裝技�(shù),LSF0102DCUR 在高溫環(huán)境下的可靠性得到顯著提�,同�(shí)其優(yōu)異的�(dòng)�(tài)特性使其能夠適�(yīng)更廣泛的�(fù)載變化需��
型號(hào):LSF0102DCUR
類型:增�(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體�(E-Mode GaN FET)
耐壓�650V
�(dǎo)通電阻:160mΩ(典型值)
最大漏極電流:4A
柵極電荷�30nC(典型值)
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263-7
LSF0102DCUR 的主要特性包括:
1. 高效性能:得益于低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,器件能夠在高頻工作條件下保持較高的效率�
2. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):其耐高溫能力突出,適合在嚴(yán)苛的工作�(huán)境下�(yùn)��
3. 小型化設(shè)�(jì):優(yōu)化的封裝尺寸有助于減少整體解決方案的空間占用�
4. �(qiáng)大的抗電磁干擾能力:通過�(nèi)置保�(hù)電路和嚴(yán)格的EMI控制�(shè)�(jì),確保系�(tǒng)�(wěn)定運(yùn)行�
5. 高速開�(guān)特性:短開�(guān)�(shí)間和低開�(guān)損耗使它非常適合要求嚴(yán)格的高速電力電子應(yīng)��
LSF0102DCUR 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 和適配器�(shè)�(jì)
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 新能源汽車中的車載充電器(OBC) 及逆變�
4. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和功率管理模�
5. 高密度服�(wù)器及通信電源供應(yīng)
6. 快充�(xié)議支持的消費(fèi)類電子產(chǎn)�
LSF0102DCTR, LSF0102DCFUR