LSF0101DRYR是一款N溝道邏輯增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件適用于需要低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的應(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式為DFN8L (2x2),具有小型化、高散熱效率的特�(diǎn),適合用于便攜式�(shè)備和空間受限的設(shè)�(jì)��
這款MOSFET在低壓應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,例如負(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器、電池保�(hù)電路以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�1.5A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�40mΩ @ Vgs=4.5V
柵極電荷(Qg)�3nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:典型值ton=9ns,toff=16ns
工作溫度范圍�-55°C to +150°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了更高的效率和更低的功耗�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能使得該器件非常適合高頻應(yīng)��
3. 小型DFN8L封裝提高了設(shè)�(jì)靈活性并節(jié)省了PCB空間�
4. 高可靠性和�(wěn)健的電氣性能使其能夠�(yīng)�(duì)苛刻的工作環(huán)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的制造要��
1. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
2. 降壓和升壓DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. 電池供電系統(tǒng)中的保護(hù)電路�
4. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的小型電�(jī)�(qū)�(dòng)�
5. 各種電源管理解決方案中的�(guān)鍵組件�
STL180N3LLH5
SI2307DS
FDMC881P