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LSD07N70 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 9:45:31 查看 閱讀�18

LSD07N70是一種N溝道功率MOSFET,廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動和負載開關等領�。該器件采用TO-220封裝形式,具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開關速度等特�,適合于中高壓應用場��
  該MOSFET的典型特點是能夠在高頻條件下保持高效的性能,同時其出色的熱�(wěn)定性和可靠性也使其成為工業(yè)及消費類電子產品的理想選��

參數(shù)

最大漏源電壓:700V
  連續(xù)漏極電流�7A
  導通電阻:1.4Ω(在Vgs=10V時)
  柵極電荷�50nC
  輸入電容�360pF
  總功耗:140W
  工作結溫范圍�-55℃至+150�

特�

LSD07N70具備以下關鍵特性:
  1. 高擊穿電壓(700V),適用于高電壓�(huán)��
  2. 低導通電�,減少導通損耗,提高效率�
  3. 快速開關能�,降低開關損耗�
  4. 小巧的TO-220封裝,便于散熱設計�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛工藝�
  6. 提供可靠的電氣性能,在惡劣�(huán)境下依然表現(xiàn)良好�

應用

LSD07N70主要應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
  2. DC-DC轉換器的高頻開關元件�
  3. 工業(yè)電機驅動電路中的功率控制�
  4. 各種負載開關和保護電��
  5. LED驅動器和逆變器中的功率管理部分�
  6. 其他需要高電壓、大電流處理能力的應用場景�

替代型號

STP7N70, IRF770, FQP17N70

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