LSD07N70是一種N溝道功率MOSFET,廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動和負載開關等領�。該器件采用TO-220封裝形式,具有低導通電�、高擊穿電壓和快速開關速度等特�,適合于中高壓應用場��
該MOSFET的典型特點是能夠在高頻條件下保持高效的性能,同時其出色的熱�(wěn)定性和可靠性也使其成為工業(yè)及消費類電子產品的理想選��
最大漏源電壓:700V
連續(xù)漏極電流�7A
導通電阻:1.4Ω(在Vgs=10V時)
柵極電荷�50nC
輸入電容�360pF
總功耗:140W
工作結溫范圍�-55℃至+150�
LSD07N70具備以下關鍵特性:
1. 高擊穿電壓(700V),適用于高電壓�(huán)��
2. 低導通電�,減少導通損耗,提高效率�
3. 快速開關能�,降低開關損耗�
4. 小巧的TO-220封裝,便于散熱設計�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛工藝�
6. 提供可靠的電氣性能,在惡劣�(huán)境下依然表現(xiàn)良好�
LSD07N70主要應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
2. DC-DC轉換器的高頻開關元件�
3. 工業(yè)電機驅動電路中的功率控制�
4. 各種負載開關和保護電��
5. LED驅動器和逆變器中的功率管理部分�
6. 其他需要高電壓、大電流處理能力的應用場景�
STP7N70, IRF770, FQP17N70