LSD05T1G是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關等電路中。該器件采用TO-252封裝,具有低導通電阻和快速開關特�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�5.3A
導通電阻:80mΩ
柵極電荷�14nC
開關速度:典型�30ns
LSD05T1G具備以下特點�
1. 極低的導通電�,有助于減少功率損��
2. 快速的開關性能,適用于高頻應用場合�
3. 高度可靠的熱�(wěn)定�,確保在高負載條件下運行正常�
4. 小型化的TO-252封裝,節(jié)省PCB空間�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計�
該MOSFET適合用于各種低壓、大電流的應用場�,例如:
1. 開關電源中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的主開關或續(xù)流二極管替代�
3. 電池保護電路�
4. 電機�(qū)動及負載開關控制�
5. 各類消費電子�(chǎn)品的電源管理模塊�
LSD05T1G的替代型號包括但不限于IRF540N、FQP08N60C、STP55NF06L