LQW18AN4N7D00D是一款由羅姆(ROHM)生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場景。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),能夠提供低�(dǎo)通電阻和高效率的性能表現(xiàn)�
這款器件具有出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適合在緊湊型設(shè)�(jì)中使�,并且支持表面貼裝工藝(SMD�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)。其封裝形式為LFPAK88,尺寸小巧但散熱性能�(yōu)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�36A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷(典型值)�96nC
總電容(輸入電容):2200pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝類型:LFPAK88
LQW18AN4N7D00D具備超低�(dǎo)通電阻,可顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)整體效率。此外,它還擁有快速開�(guān)速度和低柵極電荷的特�(diǎn),有助于減少開關(guān)損耗�
該器件的工作�(jié)溫高�(dá)175�,使其能夠在�(yán)苛的�(huán)境下可靠�(yùn)行。同�(shí),其封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱路徑,�(jìn)一步增�(qiáng)了產(chǎn)品的�(wěn)定��
通過采用溝槽工藝,LQW18AN4N7D00D�(shí)�(xiàn)了更高的單位面積電流密度,從而為工程師提供了更靈活的�(shè)�(jì)選擇。此�,它的短路耐受能力也經(jīng)過了�(yán)格測�,確保在異常情況下不�(huì)輕易損壞�
該功率MOSFET適用于各種需要高效能和低損耗的場合,例如:
- 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的適配器和充電�
- 工業(yè)�(shè)備中的DC-DC�(zhuǎn)換器
- 電動(dòng)工具及家用電器的電機(jī)控制
- 電信基礎(chǔ)�(shè)施的�(fù)載開�(guān)
- 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS�
LQW18AN4N7D00DTR, LQW18AN4N7D00DK